In diesem Buch wird die Herstellung und Charakterisierung von Halbleiterlaserstrukturen auf Basis von Quantenpunkten behandelt. Von der Theorie bis zur Charakterisierung wird Schritt für Schritt die Entstehung der Laserbauteile beschrieben. InP Quantenpunkte dienen als aktives Medium der Laser und zeigen Eigenschaften, die den Quantenfilmlaser in Theorie und Praxis übertreffen. Zur Herstellung der Bauteile werden die Laserstrukturen zuvor simuliert und optimiert, um sie anschließend in einer MOVPE-Anlage epitaktisch herzustellen. Das zugrunde liegende Materialsystem InP/AlGaInP auf GaAs-Substrat ist gut geeignet, um Quantenpunktlaser im roten Spektralbereich herzustellen. Die Verwirklichung der Laser als Breitstreifenlaser und Rippenwellenleiter wird gezeigt und vermessen. Im Ganzen zeigt diese Arbeit die Vorteile moderner Quantenpunktlaser und das Erreichen des roten Spektralbereichs, insbesondere der He-Ne Wellenlänge um die 634 nm.